三星电子日前宣布，已经成功实现了20nm工艺试验芯片的流片，这也是迄今为止业内最先进的半导体制造工艺。
三星电子此番利用了美国加州电子设计自动化企业cadence design systems提供的一体化数字流程rtl-to-gdsii
。这套基于encounter的流程和方法完全能够满足三星20nm试验芯片从ip集成到设计验证的复杂需求，包括encounter数字部署系统、encounter rtl编译器、incisive企业模拟器、encounter电源系统、qrc extraction提取工具、encounter计时系统、encounter测试与物理验证系统、encounter nanoroute路由等等。
三星的试验芯片由arm cortex-m0微处理器和arm artisan物理ip
组成，不过三星并未透露采用20nm工艺制造的这颗芯片包含了多少晶体管、在核心面积上又有多大。
另据了解，三星20nm工艺将使用
第二代后栅极(gate last)和高k金属栅极(hkmg)技术，第二代超低k电介质材料，第五代应变硅晶圆，193毫米沉浸式光刻工艺。
尽管只是刚刚流片成功，三星的20nm早期工艺设计套装(pdk)已经向客户开放，方便他们开始着手下一代新工艺产品的设计。
三星和cadence公司此前就已经有过深入合作，包括在ibm领导的common platform(通用平台)；联盟下的3228nm工艺，以及低功耗hkmg技术等等。
