满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于sio2，sin，polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗和去胶等工艺流程。最多可配置4个刻蚀单元。
1.采用独特的夹持技术，在夹持硅片的同时，硅片的另一面被气体有效的保护，不被化学液所污染.
2.利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液，可以有效的提高刻蚀均匀性.
3.分层式反应腔体设计，可以在同一腔体中喷洒多种化学液，并能有效回收，节约化学液.
4.叠层控制，占地面积小，最多可配置4个刻蚀单元
基片尺寸：100mm～300mm
化学液温度：室温～80℃
喷洒方式：硅片表面扫描
外型尺寸：w1800×d2200×h2350 (mm)
高端封装
oled 领域
